삼성전자 테일러 파운드리 건설 현장 전경(사진출처=BASENOR.com)
24일 테일러 공장 ‘장비 반입식’ 개최… 사실상 양산 카운트다운
테슬라 AI5·AI6 칩 생산 전초기지… ‘GAA 2나노’로 기술 초격차 승부
삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 건설 중인 파운드리(반도체 위탁생산) 1공장의 심장부에 핵심 장비를 채우기 시작한다. 2022년 착공 이후 약 3년 6개월 만에 공장 가동을 위한 하드웨어 준비가 마침표를 찍으면서, 글로벌 AI 반도체 시장의 주도권을 잡기 위한 삼성의 ‘테일러 시대’가 막을 올렸다.
■ 장비 반입, ‘건물’에서 ‘공장’으로의 전환
삼성전자는 오는 4월 24일(현지시간) 테일러 파운드리 공장에서 주요 경영진과 협력사 관계자들이 참석한 가운데 ‘장비 반입식(First Tool-in)’을 개최한다. 이번 행사는 반도체 생산에 필수적인 노광(EUV), 증착, 식각 장비 등이 클린룸에 안착함을 의미한다.
업계에서는 이번 장비 반입을 두고 삼성전자가 미국 내에서 가장 앞선 미세 공정을 즉각 가동할 준비를 마쳤다는 신호로 해석하고 있다. 특히 시기적으로 2026년 하반기 양산 목표를 달성하기 위한 마지막 ‘Ramp-up(생산량 확대)’ 단계에 진입한 것으로 평가된다.
■ ‘테슬라 AI 칩’이 끌고 ‘2나노 GAA’가 밀고
이번 테일러 공장의 첫 번째 주인공은 테슬라(Tesla)다. 삼성은 테슬라의 차세대 자율주행 CPU인 AI5(FSD v12용)와 AI6를 이곳에서 전량 생산할 계획이다.
주목할 점은 공정 기술이다. 삼성은 경쟁사인 TSMC가 미국 애리조나 공장에서 4나노 공정을 우선 도입하는 것과 달리, 테일러에서 곧바로 2나노(nm) SF2T(테슬라 특화 공정)를 투입한다. 여기에는 삼성의 차세대 트랜지스터 구조인 GAA(Gate-All-Around) 기술이 적용된다.
GAA(Gate-All-Around)란?
기존 핀펫(FinFET) 구조보다 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있는 기술로, 전력 효율을 약 30% 높이고 성능을 15% 이상 개선할 수 있어 고성능 AI 칩 생산의 핵심으로 꼽힌다.
■ TSMC와의 격차 줄일 ‘승부수’ 될까
삼성전자의 이번 행보는 단순히 공장 하나를 짓는 것을 넘어선다. 미국 본토에서 설계부터 생산까지 이어지는 ‘현지 공급망’을 선점함으로써 엔비디아, 마이크로소프트, 메타 등 빅테크 고객사들에게 TSMC의 확실한 대안임을 증명해야 하는 과제를 안고 있다.
관건은 ‘수율(결함 없는 합격품 비율)’이다. 최근 삼성은 2나노 공정에서 50~60%대의 수율을 확보하며 양산 가능 수준에 근접한 것으로 알려졌다. 장비 반입 이후 수개월간 진행될 시운전 기간 동안 수율을 얼마나 더 끌어올리느냐가 삼성 파운드리 재도약의 성패를 가를 전망이다.
반도체 업계 관계자는 “테일러 공장은 삼성 파운드리의 운명을 결정지을 전략적 요충지”라며, “테슬라라는 확실한 대형 고객사를 확보한 상태에서 2나노 공정을 성공적으로 안착시킨다면 TSMC와의 점유율 격차를 유의미하게 좁힐 수 있을 것”이라고 분석했다.
